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韓国のサムスン電子は30日、３ナノメートル（ｎｍ）半導体の量産を開始したと発表した。最先端の半導体製造を競い合う台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）に先行した。
サムスンの資料によれば、同社の３ｎｍ製品はいわゆる「全周ゲート型（ＧＡＡ）」構造のトランジスタを採用することで、５ｎｍ半導体と比べ電力消費を最大45％減らし、性能を23％向上させた。
サムスンにとって他社に先駆け３ｎｍ半導体を市場投入することは…
続きはソース元で
https://www.bloomberg.co.jp/news/articles/2022-06-30/RE9POOT0G1L001
https://news.samsung.com/global/samsung-begins-chip-production-using-3nm-process-technology-with-gaa-architecture
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